台积电试产2nm工艺：恶果优于预期，良品率高出60%
2024-12-08点击收听本新闻听新闻 由于三星在3nm制程节点最初使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管后，一直被良品率问题困扰，不少东说念主缅想台积电（TSMC）在2nm制程节点引入新的晶体管架构也会靠近换取的窘境。不外跟着2nm工艺量产使命的鼓吹，台积电似乎变得越来越有信心。 据Wccftech报说念，台积电仍是对2nm工艺进行了试产，良品率高出了60%。起步阶段就有这样高的良品率，恶果超出了全球的预期，何况还要很大的高潮空间，台积电可能会以更快的速率完成挑战，将良品率升迁至70